[发明专利]一种雪崩光电二极管阵列探测器

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管阵列探测器，包括多个单像素结构，其特征在于，所述单像素结构包括：

第一导电类型衬底层；

第一导电类型半导体层，位于所述第一导电类型衬底层上；

PN结，位于所述第一导电类型半导体层中并包括自下而上依次设置的第一导电类型掺杂层及第二导电类型掺杂层，所述第一导电类型掺杂层的掺杂浓度高于所述第一导电类型半导体层的掺杂浓度，所述第二导电类型掺杂层的掺杂浓度高于所述第一导电类型掺杂层的掺杂浓度，所述第一导电类型为N型或P型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，其中，所述PN结在水平面上的投影具有间隔区域；

隔离结构，位于所述第一导电类型半导体层中，并位于所述间隔区域，且所述隔离结构不与所述PN结接触；

至少一阳极引出端，位于所述第一导电类型半导体层上并与所述第二导电类型掺杂层接触；

阴极引出端，位于所述第一导电类型衬底层下方。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述PN结在水平面上的投影呈螺旋状、网格状、梳齿状及圆环状中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述隔离结构的顶面与所述第一导电类型半导体层的顶面齐平，所述隔离结构的底面高于所述PN结的底面。

4.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述隔离结构包括基于所述第一导电类型半导体层的第二导电类型掺杂区域。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第二导电类型掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一导电类型掺杂层的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述隔离结构包括沟槽及填充于所述沟槽内的隔离材料，所述沟槽自所述第一导电类型半导体层的顶面开口并往下延伸，所述沟槽的底面高于所述PN结的底面。

7.根据权利要求6所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述沟槽的侧壁倾斜。

8.根据权利要求6所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述隔离材料包括绝缘介质。

9.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述雪崩光电二极管阵列探测器还包括抗反射层，所述抗反射层位于所述第一导电类型半导体层上，所述阳极引出端贯穿所述抗反射层。

10.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管阵列探测器，其特征在于：所述第二导电类型掺杂层的横截面积大于所述第一导电类型掺杂层的横截面积。