[发明专利]一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法在审
| 申请号： | 202111387781.0 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114093760A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 卞梁;潘连胜;杨昱 | 申请（专利权）人： | 锦州神工半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 薛晓萌;齐云 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法，其包括：S1、将硅片放入盛槽的滚筒中，盛槽内装有腐蚀液。按质量分数计，腐蚀液中含5‑6％的氢氟酸、50‑55％的硝酸、8‑10％的醋酸、两性离子型表面活性剂0.3％‑1.5％。腐蚀过程中，滚筒浸没在腐蚀液中且能够在盛槽内转动；硅片以站立式放置在滚筒内，利用滚筒的转动使硅片在腐蚀液中转动；滚筒同时还周期性地上下往复移动，使硅片相对盛槽内的腐蚀液进行向上的抛动动作，使硅片的边缘周期性的暴露在腐蚀液外；S2、使用QDR法对硅片清洗；S3、使用超纯水溢流冲洗硅片；S4、使用甩干方法对硅片表面脱水、干燥。本发明通过改进腐蚀液的组成并结合特定的清洗动作，改善腐蚀后硅片表面的平坦度，克服塌边情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 酸腐 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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