[发明专利]一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法在审
申请号: | 202111387781.0 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN114093760A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 卞梁;潘连胜;杨昱 | 申请(专利权)人: | 锦州神工半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/02 |
代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 薛晓萌;齐云 |
地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 硅片 酸腐 平坦 方法 | ||
1.一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法,其特征在于,其包括:
S1、将硅片放入盛槽的滚筒中,盛槽内装有腐蚀液,所述腐蚀液由氰氟酸、硝酸、醋酸、两性离子型表面活性剂所组成;
按质量分数计,所述腐蚀液中含5-6%的氢氟酸、50-55%的硝酸、8-10%的醋酸、两性离子型表面活性剂0.3%-1.5%;
所述滚筒浸没在腐蚀液中,其周面为镂空结构,所述滚筒能够在盛槽内转动;所述硅片以站立式放置在滚筒内,利用所述滚筒的转动使硅片在腐蚀液中转动;所述滚筒同时还周期性地上下往复移动,使硅片相对盛槽内的腐蚀液进行向上的抛动动作,使硅片的边缘周期性的暴露在腐蚀液上方;
S2、使用QDR法对硅片进行清洗;
S3、使用超纯水溢流冲洗硅片;
S4、使用甩干方法对硅片表面脱水、干燥。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,按质量分数计,所述腐蚀液中含5.5%的氢氟酸、52%的硝酸、9%的醋酸、两性离子型表面活性剂1%。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,所述盛槽内的腐蚀液温度为23-27℃。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,S1的处理时间为1-4min。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,所述滚筒的转速为25-35rpm;所述滚筒上下往复移动的幅度为1-105mm、速度为3-5.5mm/min。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,所述盛槽外部设有一个副槽,该盛槽和副槽之间以循环管路及泵组件连接,使腐蚀液被抽吸到副槽,再从副槽抽吸送回盛槽,从而使腐蚀液在盛槽内循环流动;所述循环管路及泵组件还包括过滤装置,用于滤除和收集腐蚀产生的反应物。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,S1中,在副槽或循环管路上设有浓度监测计,用于监测腐蚀液中各成分的浓度,当某成分浓度低于预设浓度时,自动向腐蚀液中补给相应成分。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,按质量分数计,所述腐蚀液中还添加了0.01-1.5%的有机硅阴离子表面活性剂。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法,其特征在于,S1中,所述两性离子型表面活性剂为甜菜碱型。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述两性离子型表面活性剂为C8-C20烷基甜菜碱、C8-C20烷基酰胺基C3-C8烷基甜菜碱、烷基磺基甜菜碱、烷基酰胺丙基羟基磺基甜菜碱、或C8-C20烷基酰胺基C3-C8烷基磺基甜菜碱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造