[发明专利]一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法在审

专利信息
申请号: 202111387781.0 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114093760A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 卞梁;潘连胜;杨昱 申请(专利权)人: 锦州神工半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/02
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 薛晓萌;齐云
地址: 121000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 硅片 酸腐 平坦 方法
【权利要求书】:

1.一种改善硅片酸腐蚀平坦度的方法,其特征在于,其包括:

S1、将硅片放入盛槽的滚筒中,盛槽内装有腐蚀液,所述腐蚀液由氰氟酸、硝酸、醋酸、两性离子型表面活性剂所组成;

按质量分数计,所述腐蚀液中含5-6%的氢氟酸、50-55%的硝酸、8-10%的醋酸、两性离子型表面活性剂0.3%-1.5%;

所述滚筒浸没在腐蚀液中,其周面为镂空结构,所述滚筒能够在盛槽内转动;所述硅片以站立式放置在滚筒内,利用所述滚筒的转动使硅片在腐蚀液中转动;所述滚筒同时还周期性地上下往复移动,使硅片相对盛槽内的腐蚀液进行向上的抛动动作,使硅片的边缘周期性的暴露在腐蚀液上方;

S2、使用QDR法对硅片进行清洗;

S3、使用超纯水溢流冲洗硅片;

S4、使用甩干方法对硅片表面脱水、干燥。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,按质量分数计,所述腐蚀液中含5.5%的氢氟酸、52%的硝酸、9%的醋酸、两性离子型表面活性剂1%。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,所述盛槽内的腐蚀液温度为23-27℃。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,S1的处理时间为1-4min。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,所述滚筒的转速为25-35rpm;所述滚筒上下往复移动的幅度为1-105mm、速度为3-5.5mm/min。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,所述盛槽外部设有一个副槽,该盛槽和副槽之间以循环管路及泵组件连接,使腐蚀液被抽吸到副槽,再从副槽抽吸送回盛槽,从而使腐蚀液在盛槽内循环流动;所述循环管路及泵组件还包括过滤装置,用于滤除和收集腐蚀产生的反应物。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,S1中,在副槽或循环管路上设有浓度监测计,用于监测腐蚀液中各成分的浓度,当某成分浓度低于预设浓度时,自动向腐蚀液中补给相应成分。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,S1中,按质量分数计,所述腐蚀液中还添加了0.01-1.5%的有机硅阴离子表面活性剂。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法,其特征在于,S1中,所述两性离子型表面活性剂为甜菜碱型。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述两性离子型表面活性剂为C8-C20烷基甜菜碱、C8-C20烷基酰胺基C3-C8烷基甜菜碱、烷基磺基甜菜碱、烷基酰胺丙基羟基磺基甜菜碱、或C8-C20烷基酰胺基C3-C8烷基磺基甜菜碱。

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