[发明专利]一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计

摘要

本发明公开了一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，它包括以下步骤：步骤1：将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中，加入Ga金属离子配置成前驱体溶液，并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合；步骤2：将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干，再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长。有益效果在于：本发明制备过程简单，所用衬底为商业产品，来源广，同时在制备过程中，采用商业化的制备方法Mist CVD生长大尺寸β‑Ga2O3薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好，为氧化镓基器件提供可靠的外延生长手段。