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[发明专利]一种生长氧化镓晶体的生长装置及生长方法-CN202310821071.7在审
发明人：李龙;李培刚 -专利权人： 北京镓创科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本申请公开一种氧化镓晶体的生长装置及生长方法，包括：生长炉、坩埚、加热器和驱动装置；其中，所述坩埚为氧化物坩埚。本申请将一定配比的镓和氧化镓一起置入坩埚中，晶体生长过程中，一部分金属镓被氧化成氧化镓，一部分镓熔体处于坩埚底部籽晶的周围，抑制籽晶槽位置的自发结晶，同时在晶体生长结束后使籽晶部位易于脱离坩埚。
一种生长氧化晶体装置方法

[发明专利]用于生长氧化镓晶体的坩埚及其制备方法-CN202310761208.4在审
发明人：李龙;李培刚 -专利权人： 北京镓创科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/043 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于生长氧化镓晶体的坩埚及其制备方法。该坩埚由包括氧化铝、锆砂和镁砂的原料制成；其中，氧化铝、锆砂、镁砂的质量比为(1～3):(2～4):(3～5)，坩埚的耐火度≥1900℃。本发明采用无铱技术路线，不仅可以避免坩埚高温氧化及与熔体的化学反应，而且由于利用氧化物坩埚代替了铱金坩埚，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
用于生长氧化晶体坩埚及其制备方法

[发明专利]一种用于冷坩埚法制备氧化镓单晶的坩埚设计和制备方法-CN202111361482.X在审
发明人：李培刚;王进进;李龙;陈梅艳;严旭 -专利权人： 北京镓创科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于冷坩埚法制备氧化镓单晶的坩埚设计和制备方法，冷坩埚由坩埚壁、缓冲层以及氧化镓挤压层构成，其中所述缓冲层附在所述坩埚壁内侧和所述氧化镓挤压层外侧，所述坩埚壁的厚度大于所述氧化镓挤压层的厚度，所述缓冲层的厚度小于所述氧化镓挤压层的厚度。有益效果在于：本发明采用新型冷坩埚并借助冷坩埚法生长氧化镓单晶，有效避免了高温熔体对坩埚的腐蚀，减少了坩埚对熔体的污染，同时不再需要使用铱金或铂铑坩埚等贵金属坩埚，极大地降低了制备氧化镓单晶的坩埚成本，从而降低了制备氧化镓单晶的的生产成本。
一种用于坩埚法制氧化镓单晶设计制备方法

[发明专利]一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计-CN202111363304.0在审
发明人：李培刚;季学强;李龙;陈梅艳;严旭 -专利权人： 北京镓创科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计，它包括以下步骤：步骤1：将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中，加入Ga金属离子配置成前驱体溶液，并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合；步骤2：将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干，再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长。有益效果在于：本发明制备过程简单，所用衬底为商业产品，来源广，同时在制备过程中，采用商业化的制备方法Mist CVD生长大尺寸β‑Ga2O3薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好，为氧化镓基器件提供可靠的外延生长手段。
一种 mist 法制氧化薄膜制备设计