[发明专利]一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计在审
申请号: | 202111363304.0 | 申请日: | 2021-11-17 |
公开(公告)号: | CN114059042A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 李培刚;季学强;李龙;陈梅艳;严旭 | 申请(专利权)人: | 北京镓创科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/56;C23C16/448 |
代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 闫露露 |
地址: | 101322 北京市顺*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mist 法制 氧化 薄膜 制备 设计 | ||
1.一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计,其特征在于:它包括以下步骤:
步骤1:将乙酰丙酮镓在常温下溶于去离子水中,加入Ga金属离子配置成前驱体溶液,并将将配置好的前驱体溶液与盐酸溶液均匀混合;
步骤2:将蓝宝石衬底依次在在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min后然后用氮气吹干,再将蓝宝石衬底放入Mist CVD装置中进行薄膜生长;
步骤3:将生长好的薄膜进行相应温度的原位退火,便可制得氧化镓薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计,其特征在于:所述步骤1中前驱体溶液与盐酸溶液的体积比为100:1。
3.根据权利要求1所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计,其特征在于:所述步骤2中蓝宝石衬底在Mist CVD装置加工时工艺参数为:常压,载流气体流量为0.5L/min,稀释气体力量为1L/min,衬底温度为500℃-750℃,生长时间120和60min。
4.根据权利要求3所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计,其特征在于:所述的载流气体为氩气,所述的稀释气体为氧气。
5.根据权利要求1所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计,其特征在于:所述步骤2中蓝宝石衬底在Mist CVD装置加工的具体流程如下:首先将蓝宝石衬底放置在反应腔(8)内的加热托盘(6)上,反应腔(8)先抽真空,然后通过进氩管(3)向反应腔(8)中通入氩气,使氩气充满整个反应腔(8),接着将前驱体溶液加入超声雾化罐(4)中,设置反应腔(8)内的加热温度,当温度达到设定温度时,通过进氧管(2)通入氧气,与此同时开启超声雾化罐(4)内的雾化器,用流量计(1)控制氩气作为载流气体,氧气作为稀释气体,将超声雾化罐(4)中的雾滴送进反应腔(8)内并与衬底发生接触,进行沉积。
6.根据权利要求1所述的一种Mist法制备氧化镓薄膜的制备设计,其特征在于:所述步骤3中在退火过程中的退火气体为氧气。
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