[发明专利]腔室监控系统及化学气相沉积设备在审
申请号: | 202111357149.1 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN116136020A | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 陶珩;姜勇;龚岳俊;马诗阳 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 曹媛;张双红 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种腔室监控系统,应用于化学气相沉积设备,所述化学气相沉积设备的反应腔的腔壁设有一探测通道,所述探测通道的顶端开有一连通所述反应腔内部的窗口;所述腔室监控系统包括:透明的石英管,其具有封闭的第一端和开放的第二端,所述第一端伸入所述探测通道,所述石英管的外侧壁与所述反应腔的腔壁之间形成密封;内窥镜,包括一摄像头,所述摄像头由所述第二端伸入所述石英管中并移动至所述窗口处,用于监控所述反应腔的内部。相应的,本发明还提供一种化学气相沉积设备,安装有上述的腔室监控系统。本发明能够反应腔室内部状态的实时监控,同时也能保证反应腔密封性,防止泄漏。 | ||
搜索关键词: | 监控 系统 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的