[发明专利]3D存储器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111355322.4 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114141784A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋小波;王军峰;卢刚;罗杰;曾最新;刘立芃 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D存储器件的制造方法，包括：形成第一阵列结构，所述第一阵列结构包括衬底、位于所述衬底上方的第一叠层结构、在所述第一阵列结构的核心区贯穿所述第一叠层结构的多个第一沟道孔以及在所述第一阵列结构的标记区延伸至所述第一叠层结构中的多个定位栓；在所述标记区刻蚀所述第一叠层结构以暴露所述多个定位栓；以所述标记区的多个定位栓为标记，在所述第一阵列结构上堆叠形成第二阵列结构，所述第二阵列结构包括位于所述第一叠层结构上方的第二叠层结构以及贯穿所述第二叠层结构的多个第二沟道孔。本发明提供的3D存储器件的制造方法，能够实现堆叠的3D存储器件中上下阵列结构的对准，以及上下阵列结构中对应的沟道孔的对准。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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