[发明专利]一种氮化镓单晶生长工艺方法及装置在审
| 申请号： | 202111337886.5 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114016136A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张华芹;程佳彪 | 申请（专利权）人： | 上海韵申新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/10 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 谢小军 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开发*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓单晶生长工艺方法及装置，所述方法包括以下步骤：将金属钠溶剂和氮化镓溶质放入充满氮气的第一反应空间中，在一定压强下进行加热至预设温度范围溶解成离子化中间复合物；将离子化中间复合物转移至温度范围低于预设温度范围的第二反应空间中，所述第二反应空间内充满氮气并预设有氮化镓籽晶；控制第二反应空间内的温度和氮气压强，使得离子化中间复合物在籽晶上生长配置，形成氮化镓单晶。所述装置为通过隔板分割为第一反应空间和第二反应空间的反应炉。本发明通过金属钠为溶剂、氮化镓为溶质，采用溶解‑析晶法，同时通过反应容器内部结构设计，实现氮化镓晶体的平衡型生长，有效降低位错密度，提高产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓单晶 生长 工艺 方法 装置 | ||
【主权项】：
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