[发明专利]用于半导体材料的清洗方法有效
| 申请号： | 202111326661.X | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114038736B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王燕清;杨佐东 | 申请（专利权）人： | 重庆臻宝实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D1/83;C11D1/14;C11D1/00;C11D3/04;C11D3/06;C11D3/10;C11D3/20;C11D3/39;C11D3/60;C11D7/26;C11D7/60 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 40005*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体材料的清洗方法，具体步骤如下：先将半导体材料浸入碱性脱脂洗液清洗进行脱脂处理，清洗后去离子水冲洗；再进行去除金属离子处理，依次将半导体材料用酸性A洗液浸泡清洗，清洗后去离子水冲洗；接着用中性洗液浸泡清洗，清洗后去离子水冲洗；最后放入酸性B洗液中浸泡清洗，清洗后用去离子水冲洗干净即可。本发明提供的清洗方法，大大减少强酸的使用浓度，减小了环境污染和对人体的腐蚀性。洗液稳定性好，不会易分解挥发，提高了洗液使用寿命，对硅产品腐蚀性小，不会增加产品清洗后的Ra。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体材料 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆臻宝实业有限公司，未经重庆臻宝实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111326661.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
