[发明专利]一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法在审
| 申请号： | 202111325284.8 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114108097A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 杨培培;李祥彪 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/12;C30B25/14 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法，在氢化物气相外延生长氮化镓晶体装置中，通常衬底被固定在石墨托上，氯化镓与氨气在氮气载气作用下从低温区流向高温区的衬底面，进行结晶生长。生长区的气相饱和度受氮气载气流量、生长区装置的结构等影响导致生长的氮化镓晶体厚度明显不均匀。本发明采用带有石墨镂空围栏的石墨托，可以减小气相的涡旋流动速度，增大气相饱和度及其均匀性，并且在氯化镓的进气口增加半侧喇叭形开口，氨气进气口增加全喇叭形开口，可以降低气流速度并增加衬底表面气相的均匀性。本发明结构简单，增加了衬底上气相饱和度和均匀性，提高了氮化镓晶体生长效率，生长的氮化镓晶体表面更为平整且厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氮化 晶体生长 均匀 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
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