[发明专利]一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法

权利要求书

1.一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置，其特征在于：所述改善氮化镓晶体生长均匀性的装置为在常规氢化物气相外延生长系统中采用粘有衬底的带围栏石墨托、带有半侧喇叭形开口的氯化镓进气口和全喇叭形开口的氨气进气口，石墨托的围栏为镂空设计，石墨托的直径与衬底直径相关，大于衬底直径2mm到10mm。

2.根据权利要求1所述的一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置，其特征在于：带围栏石墨托的围栏高度1cm到5cm，石墨托围栏的镂空图形包括但不限于圆孔形，方形，椭圆形，三角形。

3.根据权利要求1所述的一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置，其特征在于：氯化镓进气口为半侧喇叭形开口，喇叭形开口半侧位于远离衬底中心端，喇叭形开口端指向石墨托围栏最低处或石墨围栏内测，开口方向偏离水平方向30°到60°。

4.根据权利要求1所述的一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置，其特征在于：氨气进气口为全喇叭形开口，喇叭形开口端距离衬底2cm到10cm，开口方向偏离水平方向30°到60°。

5.一种改善氮化镓晶体生长均匀性的生长方法，其特征在于：所述方法基于权利要求1所述的氮化镓晶体生长均匀性装置，所述的生长方法包括下述步骤：

步骤1，选择合适衬底固定于带围栏的石墨托上，放入生长腔体内固定支架上；

步骤2，金属稼放入稼舟，设置好氮化镓晶体生长工艺参数；

步骤3，开始晶体生长，生长到设定时间停止，关闭所有气体流量开关，完成一次氮化镓晶体生长。