[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111321503.5 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN116110965A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘中元 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H10B10/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述层间介质层内形成初始第一凹槽，所述初始第一凹槽暴露出所述源漏层顶部表面的第一刻蚀停止层；在所述层间介质层内形成初始第二凹槽，所述初始第二凹槽暴露出所述栅极表面的第一刻蚀停止层，且所述初始第二凹槽与所述初始第一凹槽相连通；刻蚀所述初始第一凹槽和所述初始第二凹槽暴露出的第一刻蚀停止层，以形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述源漏层表面，所述第二凹槽暴露出所述栅极，有利于控制刻蚀深度，减少对所述源漏层表面的过刻蚀的概率，从而提高所形成的器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯南方集成电路制造有限公司，未经中芯南方集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111321503.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
