[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111316940.8 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114050135A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 黄晓波;宋向东 | 申请（专利权）人： | 江西龙芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 桑耀 |
| 地址： | 337016 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造技术领域，公开了一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有侧壁结构，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅介质层、栅电极、栅极材料层和栅极硬掩蔽层，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽，并对凹槽进行防漏电处理，去除所述侧壁结构以及栅介质层，在所述栅电极侧壁形成形成掺杂二氧化硅层。本发明制备的半导体器件有效避免出现漏电流的情况，可以减少热扩散时间，避免了高的热量造成半导体器件的性能发生改变，提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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