[发明专利]一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。