[发明专利]用于集成电路的电容器结构以及相关方法在审
| 申请号： | 202111303270.6 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114446930A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 许德伟;S·K·辛格;S-Y·库克;R·A·奥格尔 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于集成电路的电容器结构以及相关方法。本公开的实施例提供了一种用于集成电路(IC)的电容器。该电容器可以包括位于第一布线层内的第一导体的上表面上的第一竖直电极。电容器介质可以位于第一竖直电极的上表面上。第二竖直电极可以位于电容器电介质的上表面上。第二竖直电极在竖直方向上位于电容器电介质和第二导体之间。层级间电介质(ILD)层与第一竖直电极、电容器电介质和第二竖直电极中的每一者相邻。ILD层在竖直方向上位于第一导体和第二导体之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 电容器 结构 以及 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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