[发明专利]双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202111286452.7 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114242783A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘发扬;陆磊;张盛东;王云萍;周晓梁 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法，包括第一栅极和第二栅极，分别使得第一栅极和第二栅极作为场效应管结构的底栅和顶栅，并将底栅和顶栅分别设置为MOSFET结构和MESFET结构，由于结合了MOSFET结构和MESFET结构的优势，使得该双栅器件的工作电压范围扩大，增加了栅极对沟道的控制能力，使器件的载流子迁移率、SS等参数得以优化，并使器件的稳定性有所提升。此外，由于MESFET(JFET)器件对栅极偏置的变化更加敏感，使得本申请中的双栅半导体场效应晶体管利用这种特点使得可以应用到传感领域中，增大了应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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