[发明专利]一种功率半导体器件及制备工艺在审
| 申请号： | 202111285420.5 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114068327A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 揭丽平;周福鸣;柿木;和巍巍 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/04;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 廖厚琪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件及制备方法，通过低温低压预烧结的方式使功率半导体器件各层组件之间形成良好的粘接，避免烧结过程中各组件位置发生偏移，并在功率芯片上设置高度平衡膜用于平衡贴装铜箔的源级和未贴装铜箔的门极之间形成的高度差，使在一次烧结过程中，功率芯片整体受压均匀；本发明提出的技术方案不仅彻底解决烧结产品的高度差的影响，同时通过进一步优化烧结工艺，实现芯片上下表面一次烧结方案，采用铜线和铜带键合的方式，提高了模块功率循环的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳基本半导体有限公司，未经深圳基本半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111285420.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
