[发明专利]一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺

摘要

本发明公开了一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，属于太阳电池技术领域，包括：S1、对晶圆进行预烘；S2、在晶圆表面涂覆用于图形转移的光刻胶；S3、对晶圆进行前烘处理；S4、对晶圆进行曝光，将掩膜版上的台阶图形转移至光刻胶胶膜上；S5、将胶膜上潜在的图形通过显影技术制备出来；S6、将所述晶圆在高温下坚膜；S7、将所述晶圆在一次湿法刻蚀液中进行ⅢⅤ族有源层刻蚀，形成台阶结构；S8、所述晶圆通过去胶清洗工艺完成一次湿法台阶刻蚀工艺全过程。本发明辅以光刻、显影、刻蚀和清洗工艺的简单、高效、低成本制备台阶工艺技术。