[发明专利]一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺

权利要求书

1.一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，依次包括如下工序：

S1、对晶圆进行预烘；

S2、在所述晶圆表面涂覆用于图形转移的光刻胶；

S3、对所述晶圆进行前烘处理；

S4、对所述晶圆进行曝光，将掩膜版上的台阶图形转移至光刻胶胶膜上；

S5、将胶膜上潜在的图形通过显影技术制备出来；

S6、将所述晶圆在高温下坚膜；

S7、将所述晶圆在一次湿法刻蚀液中进行ⅢⅤ族有源层刻蚀，形成台阶结构；

S8、所述晶圆通过去胶清洗工艺完成一次湿法台阶刻蚀工艺全过程。

2.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S1中，将GaInP/GaInAs/Ge太阳电池晶圆片装入花篮，并放入温度设置为150℃±10℃的烘箱中烘烤20±2min。

3.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S2中，光刻胶厚度为5～8μm。

4.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S3中，将带有胶膜的晶圆进行高温烘烤，烘烤温度范围是80℃～100℃。

5.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S4中，将烘烤好的晶圆片在载有台阶刻蚀图形的掩膜版下逐一进行曝光，曝光时间的范围是5～15s。

6.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S5中，将已经曝光的晶圆片放入显影液中显影，显影时间20～50s；显影完成的晶圆片通过高纯水多次冲洗后甩干脱水，高纯水的电阻率不小于18MΩ。

7.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S6中，将显影清洗后的晶圆片放入120℃±5℃烘箱中烘烤20～30min。

8.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S7中，坚膜后的晶圆片放入一次湿法刻蚀液中，刻蚀2～3min，刻蚀槽露出Ge界面为止；刻蚀完成的晶圆片通过高纯水多次冲洗后甩干脱水，高纯水的电阻率不小于18MΩ。

9.根据权利要求1所述的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，其特征在于，在S8中，将已经刻蚀好的晶圆片放入去胶液中去胶，再通过高纯水多次冲洗后甩干脱水，高纯水的电阻率不小于18MΩ。