[发明专利]一种Top Com阵列结构在审
申请号: | 202111242816.1 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN113838873A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 陈伟;陈鑫;朱书纬;潜垚;李澈 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种Top Com阵列结构,包括玻璃基板,玻璃基板上设有栅极GE层,栅极GE层上沉积有无机绝缘GI层,无机绝缘GI层上设有有源SE层,有源SE层上设有刻蚀阻挡ES层,刻蚀阻挡ES层上设有源漏极SD层,源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层,无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层,并在有机绝缘OC层上开设出OC孔,无机绝缘PV层上蚀刻出PV孔,有机绝缘OC层上沉积有像素电极PE层,像素电极PE层沉积有无机CH层,无机CH层上沉积有公共电极BC层。本发明在基于现有的Top‑Com设计原理及不改变制程工艺的情况下,通过有效使用一道光罩,使ES层干蚀刻出ES孔和PV层干蚀刻出PV孔,使原有的9道Mask减少到8道,从而达到降低生产成本、提高产品效益的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 top com 阵列 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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