[发明专利]一种Top Com阵列结构在审

专利信息
申请号: 202111242816.1 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113838873A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 陈伟;陈鑫;朱书纬;潜垚;李澈 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种Top Com阵列结构,包括玻璃基板,玻璃基板上设有栅极GE层,栅极GE层上沉积有无机绝缘GI层,无机绝缘GI层上设有有源SE层,有源SE层上设有刻蚀阻挡ES层,刻蚀阻挡ES层上设有源漏极SD层,源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层,无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层,并在有机绝缘OC层上开设出OC孔,无机绝缘PV层上蚀刻出PV孔,有机绝缘OC层上沉积有像素电极PE层,像素电极PE层沉积有无机CH层,无机CH层上沉积有公共电极BC层。本发明在基于现有的Top‑Com设计原理及不改变制程工艺的情况下,通过有效使用一道光罩,使ES层干蚀刻出ES孔和PV层干蚀刻出PV孔,使原有的9道Mask减少到8道,从而达到降低生产成本、提高产品效益的目的。
搜索关键词: 一种 top com 阵列 结构
【主权项】:
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