[发明专利]一种Top Com阵列结构

说明书

本发明公开了一种Top Com阵列结构，包括玻璃基板，玻璃基板上设有栅极GE层，栅极GE层上沉积有无机绝缘GI层，无机绝缘GI层上设有有源SE层，有源SE层上设有刻蚀阻挡ES层，刻蚀阻挡ES层上设有源漏极SD层，源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层，无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层，并在有机绝缘OC层上开设出OC孔，无机绝缘PV层上蚀刻出PV孔，有机绝缘OC层上沉积有像素电极PE层，像素电极PE层沉积有无机CH层，无机CH层上沉积有公共电极BC层。本发明在基于现有的Top‑Com设计原理及不改变制程工艺的情况下，通过有效使用一道光罩，使ES层干蚀刻出ES孔和PV层干蚀刻出PV孔，使原有的9道Mask减少到8道，从而达到降低生产成本、提高产品效益的目的。

技术领域

本发明属于触控面板技术领域，具体涉及一种Top Com阵列结构。

背景技术

目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a-Si的潜力。较a-Si TFT相比，IGZO-TFT的载流子迁移率可以达到10-30cm²/V·S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a-Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。

随着目前显示技术的飞速发展，将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的In-cell面板技术已经广泛应用在各种智能手机和平板电脑中。这种触控面板技术主要是将触控面板和液晶面板结合为一体，使原本具有显示功能的液晶面板同时具有触控输入功能，并且其最大的优点在于能够有效减少整个显示屏幕的厚度，厚度的减薄不仅可以降低整个手机的重量，而且可以利用腾出更大的空间用于扩大电池或其它零件等等。

目前市场的设计主流以Mid-com In cell技术为主，该设计方案共需10道光罩完成阵列制程，主要是把与透明公共电极相连接的触控金属层设计在有机平坦层之上，在Array的制程方面，仅仅只是增加了VA(无机层)和CM(触控金属层)两个Layer。为简化工艺流程，现有量产也采用了9道光罩的Top-Com设计阵列结构，该方案通过SD制程同时形成TPLine和Data Line，减少CM层和VA层两道制程来简化工艺流程。为降低生产成本和提高产品效益，如何在现有设计的Top-Com结构上进一步优化制程模式成为方案改善的关键。为此，我们提出一种Top Com阵列结构，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Top Com阵列结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种Top Com阵列结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板上设有栅极GE层，所述栅极GE层上沉积有无机绝缘GI层，所述无机绝缘GI层上设有有源SE层，所述有源SE层上设有刻蚀阻挡ES层，所述刻蚀阻挡ES层上设有源漏极SD层，所述源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层，所述无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层，并在有机绝缘OC层上开设出OC孔，所述无机绝缘PV层上蚀刻出PV孔，所述有机绝缘OC层上沉积有像素电极PE层，所述像素电极PE层沉积有无机CH层，所述无机CH层上沉积有公共电极BC层。

所述玻璃基板为TFT侧的素玻璃，其上依序形成TFT等有源器件。

所述栅极GE层为非透明栅极GE层，具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，此处以Mo/Al/Mo或Ti/Ai/Ti为例 ；

所述无机绝缘GI层，具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选SiOx或SiNx；

所述有源SE层为TFT器件半导体层，如a-Si、MOx和LTPS等，此设计方案可选IGZO；

刻蚀阻挡ES层具有较大介电常数的绝缘层，保护沟道区域有源SE层不被源漏极SD层蚀刻气体或液体蚀刻；