[发明专利]一种Top Com阵列结构

权利要求书

1.一种Top Com阵列结构，包括玻璃基板（1），其特征在于：所述玻璃基板（1）上设有栅极GE层（2），所述栅极GE层（2）上沉积有无机绝缘GI层（3），所述无机绝缘GI层（3）上设有有源SE层（4），所述有源SE层（4）上设有刻蚀阻挡ES层（5），所述刻蚀阻挡ES层（5）上设有源漏极SD层（6），所述源漏极SD层（6）上沉积出无机绝缘PV层（7），所述无机绝缘PV层（7）上涂布一层有机绝缘OC层（8），并在有机绝缘OC层（8）上开设出OC孔（12），所述无机绝缘PV层（7）上蚀刻出PV孔（13），所述有机绝缘OC层（8）上沉积有像素电极PE层（9），所述像素电极PE层（9）沉积有无机CH层（10），所述无机CH层（10）上沉积有公共电极BC层（11）。

2.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述玻璃基板（1）为TFT侧的素玻璃，其上依序形成TFT有源器件。

3.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述栅极GE层（2）为铝、钼、钛、镍、铜或者合金制成。

4.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述无机绝缘GI层（3）的材料为SiOx或SiNx。

5.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述有源SE层（4）为TFT器件半导体层，其材料为a-Si、MOx、LTPS或者IGZO。

6.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述无机绝缘PV层（7）的材料为SiOx或SiNx。

7.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述无机CH层（10）的材料为SiOx或SiNx。

8.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述公共电极BC层（11）的材料为透明导电ITO。

9.一种权利要求1-8任意一项所述的Top Com阵列结构的制造工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、在衬底的玻璃基板（1）上制造出栅极GE层（2）；

S2、在栅极GE层（2）上沉积无机绝缘GI层（3）；

S3、在无机绝缘GI层（3）上制造出有源SE层（4）；

S4、在有源SE层（4）上制造出刻蚀阻挡ES层（5）；

S5、在刻蚀阻挡ES层（5）层上制造出源漏极SD层（6）；

S6、在源漏极SD层（6）上沉积出无机绝缘PV层（7）；

S7、在无机绝缘PV层（7）上涂布一层有机绝缘OC层（8），并开设OC孔（12）；

S8、采用同ES层的光罩曝光显影蚀刻出PV孔（13）；

S9、在有机绝缘OC层（8）上沉积出像素电极PE层（9）；

S10、在像素电极PE层（9）上沉积出无机CH层（10）；

S11、在无机CH层（10）上沉积出公共电极BC层（11）。