[发明专利]一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构有效
| 申请号： | 202111217872.X | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113643962B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李利哲;刘宗亮 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/205;C23C16/12;C23C16/30 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 唐学青 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构。该制备方法包括以下步骤：将衬底放入反应腔室中，向反应腔室内通入铝源并持续预设的时间以形成厚度介于2‑5nm的成核层；在成核层上依次形成包括AlGaN层、铝渐变层和过渡GaN层的总厚度介于400‑450nm的过渡层，在过渡层上形成厚度介于1.5‑2微米的氮化镓外延层。该方法下在衬底与氮化镓外延层之间先沉积一层过渡层，过通过过渡层能够减少衬底与外延层之间的晶格失配产生的应力，能够防止外延片因晶格失配或应力而产生的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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