[发明专利]具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管在审
| 申请号： | 202111210244.9 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN114023805A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;张云帆;朱顺威;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/812 |
| 代理公司： | 西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙) 61279 | 代理人： | 汪重庆 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述栅电极与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述凹陷栅漏飘移区的表面靠近栅角处设有P型掺杂区，所述栅源飘移区下方的P型缓冲层向下凹陷形成凹陷缓冲层。本发明具有击穿电压大幅提高，漏极输出电流稳定的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 凹陷 缓冲 sic 金属 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
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