[发明专利]具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管

权利要求书

1.具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管，其特征在于，自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述栅电极与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述凹陷栅漏飘移区的表面靠近栅角处设有P型掺杂区，所述栅源飘移区下方的P型缓冲层向下凹陷形成凹陷缓冲层。

2.根据权利要求1所述具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管，其特征在于，所述P型掺杂区以栅电极靠近漏极帽层的一侧边缘为起点，长度为0.2～0.5μm，深度为0.05μm。

3.根据权利要求1所述具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管，其特征在于，所述P型掺杂区的掺杂浓度为1×10¹⁷～4×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1所述具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管，其特征在于，所述凹陷缓冲层以源极帽层的里侧为起点，长度为0.5μm，深度为0.03～0.08μm。

5.根据权利要求1所述具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管，其特征在于，所述N型沟道层的上方且距离源极帽层的里侧0.5μm处为0.7μm长的栅电极，其中靠近源极帽层侧的一半栅电极向N型沟道层凹陷0.05μm，形成凹栅结构。