[发明专利]存储器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202111208150.8 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN114121817A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓玲;吴敏敏;洪海涵;张民慧 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器件及其形成方法，所述形成方法，在基底上形成第一牺牲层后，在所述第一牺牲层上形成叠层支撑层，所述叠层支撑层包括第一支撑层和位于第一支撑层上的第二支撑层，所述第一支撑层具有若干第一凸起结构，所述第二支撑层具有若干第二凸起结构，每一个下电极接触结构上方相应的具有一个第一凸起结构和位于第一凸起结构上方的第二凸起结构，且所述第一凸起结构和第二凸起结构均包括平行于所述基底表面的凸起顶部层以及沿垂直于所述基底表面的方向延伸且与所述凸起顶部层边缘连接的凸起延伸壁；在所述叠层支撑层上形成第二牺牲层。通过形成前述特定结构叠层支撑结构提高了对下电极层的支撑强度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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