[发明专利]存储器件及其形成方法

说明书

一种存储器件及其形成方法，所述形成方法，在基底上形成第一牺牲层后，在所述第一牺牲层上形成叠层支撑层，所述叠层支撑层包括第一支撑层和位于第一支撑层上的第二支撑层，所述第一支撑层具有若干第一凸起结构，所述第二支撑层具有若干第二凸起结构，每一个下电极接触结构上方相应的具有一个第一凸起结构和位于第一凸起结构上方的第二凸起结构，且所述第一凸起结构和第二凸起结构均包括平行于所述基底表面的凸起顶部层以及沿垂直于所述基底表面的方向延伸且与所述凸起顶部层边缘连接的凸起延伸壁；在所述叠层支撑层上形成第二牺牲层。通过形成前述特定结构叠层支撑结构提高了对下电极层的支撑强度。

技术领域

本申请涉及存储器制作领域，尤其涉及一种存储器件及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

现有技术提供了一种DRAM的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成支撑层；在所述支撑层上形成第二牺牲层；刻蚀去除部分所述第一牺牲层、支撑层和第一牺牲层，形成若干电容孔；在所述电容孔的侧壁和底部表面上形成下电极；形成下电极后，去除剩余的第一牺牲层和第二牺牲层以及部分支撑层，形成空腔；在所述下电极的表面以及空腔的侧壁表面形成电介质层；在电介质层表面形成上电极。

但是前述方法中形成的DRAM过程中，支撑层的对电容器的支撑强度仍有待提升，影响了电容器的结构稳定性。

发明内容

鉴于此，本申请一些实施例中提供了一种存储器件的形成方法，包括：

提供基底，所述基底中形成有若干下电极接触结构；

在所述基底上形成第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上形成叠层支撑层，所述叠层支撑层包括第一支撑层和位于第一支撑层上的第二支撑层，所述第一支撑层具有若干第一凸起结构，所述第二支撑层具有若干第二凸起结构，每一个下电极接触结构上方相应的具有一个第一凸起结构和位于第一凸起结构上方的第二凸起结构，且所述第一凸起结构和第二凸起结构均包括平行于所述基底表面的凸起顶部层以及沿垂直于所述基底表面的方向延伸且与所述凸起顶部层边缘连接的凸起延伸壁；

在所述叠层支撑层上形成第二牺牲层；

刻蚀去除下电极接触结构上方的部分所述第二牺牲层和所述叠层支撑层以及所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层、所述叠层支撑层和所述第二牺牲层中形成暴露出相应的下电极接触结构表面的若干电容孔，且刻蚀时保留所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的所述凸起延伸壁在所述电容孔的侧壁；

在所述电容孔侧壁和底部表面形成下电极；

形成下电极后，去除剩余的第一牺牲层和第二牺牲层，形成空腔；

在所述电容孔中的下电极表面以及空腔表面形成电介质层；

在电介质层上形成上电极。

在一些实施例中，每一个所述下电极接触结构上方相应的一个第一凸起结构和一个第二凸起结构均向靠近基底的方向凸起。