[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有若干下电极接触结构；

在所述基底上形成第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上形成叠层支撑层，所述叠层支撑层包括第一支撑层和位于第一支撑层上的第二支撑层，所述第一支撑层具有若干第一凸起结构，所述第二支撑层具有若干第二凸起结构，每一个下电极接触结构上方相应的具有一个第一凸起结构和位于第一凸起结构上方的第二凸起结构，且所述第一凸起结构和第二凸起结构均包括平行于所述基底表面的凸起顶部层以及沿垂直于所述基底表面的方向延伸且与所述凸起顶部层边缘连接的凸起延伸壁；

在所述叠层支撑层上形成第二牺牲层；

刻蚀去除下电极接触结构上方的部分所述第二牺牲层和所述叠层支撑层以及所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层、所述叠层支撑层和所述第二牺牲层中形成暴露出相应的下电极接触结构表面的若干电容孔，且刻蚀时保留所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的所述凸起延伸壁在所述电容孔的侧壁；

在所述电容孔侧壁和底部表面形成下电极；

形成下电极后，去除剩余的第一牺牲层和第二牺牲层，形成空腔；

在所述电容孔中的下电极表面以及空腔表面形成电介质层；

在电介质层上形成上电极。

2.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，每一个所述下电极接触结构上方相应的一个第一凸起结构和一个第二凸起结构均向靠近基底的方向凸起。

3.如权利要求2所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述叠层支撑层的形成过程包括：刻蚀去除部分所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层顶部形成若干第一牺牲层凸起和位于第一牺牲层凸起之间第一凹槽，所述第一凹槽位于相应的下电极接触结构上方；在所述第一牺牲层凸起的侧壁和顶部表面以及第一牺牲层凸起之间的第一凹槽底部表面形成第一支撑层；在所述第一牺牲层凸起顶部表面上的第一支撑层表面形成第三牺牲层凸起；在所述第三牺牲层凸起的侧壁和顶部表面以及第三牺牲层凸起之间的第一支撑层上形成第二支撑层。

4.如权利要求3所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第三牺牲层凸起的形成过程为：在所述第一支撑层的表面形成第三牺牲层；刻蚀去除部分所述第三牺牲层，在所述第一牺牲层凸起顶部表面上的第一支撑层表面形成第三牺牲层凸起。

5.如权利要求4所述的存储器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除部分所述第三牺牲层时，相邻第一牺牲层凸起之间的第一凹槽内的第三牺牲层被保留或者去除；形成第二支撑层时，所述部分第二支撑层位于所述相邻第一牺牲层凸起之间的第一凹槽内的被保留第三牺牲层的表面上或者直接位于所述第一凹槽内的第一支撑层表面。

6.如权利要求5所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述去除剩余的第一牺牲层和第二牺牲层时，同时去除所述第三牺牲层凸起，以形成空腔。

7.如权利要求5所述的存储器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除下电极接触结构上方的部分所述第二牺牲层和所述叠层支撑层以及所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层、所述叠层支撑层和所述第二牺牲层中形成暴露出相应的下电极接触结构表面的若干电容孔，且刻蚀时保留所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的所述凸起延伸壁在所述电容孔的侧壁过程包括：刻蚀相应的下电极接触结构上方的部分第二牺牲层和第一牺牲层以及所述第一凸起结构和第二凸起结构的凸起顶部层或者刻蚀相应的下电极接触结构上方的部分第二牺牲层和第一牺牲层以及所述第一凸起结构和第二凸起结构的凸起顶部层和第三牺牲层，在所述第一牺牲层、第二牺牲层和叠层支撑层中形成暴露出相应的下电极接触结构的若干电容孔，且刻蚀时保留所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的所述凸起延伸壁在所述电容孔的侧壁。

8.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，每一个所述下电极接触结构上方相应的一个第一凸起结构和一个第二凸起结构均向远离所述基底的方向凸起。