[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备

摘要

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，用于实现对半导体器件所在晶圆的翘曲程度的控制。所述半导体器件的制备方法包括：提供三维阵列结构；所述三维阵列结构包括衬底，设置在所述衬底一侧的牺牲层，及设置在所述牺牲层远离所述衬底的一侧的叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述牺牲层的栅线缝隙；形成掺杂多晶硅薄膜，并对所述掺杂多晶硅薄膜进行退火处理；所述掺杂多晶硅薄膜至少覆盖所述栅线缝隙的内壁；形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行退火处理；所述多晶硅薄膜覆盖所述掺杂多晶硅薄膜。上述半导体器件应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。