[发明专利]基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构在审
| 申请号： | 202111188481.X | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113990835A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 高崎哲;王庆凯;毛先叶 | 申请（专利权）人： | 正海集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07;H02M7/00;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 沈国良 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市中国（山东）自由*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，本结构中覆铜陶瓷基板分别设有上桥、下桥源极和门极PIN针，覆铜陶瓷基板两侧设有上桥覆铜纹路、中部间隔设于两列下桥覆铜纹路，若干上桥和下桥功率半导体芯片间隔设于上桥覆铜纹路和下桥覆铜纹路，正极母排连接上桥覆铜纹路并且正极母排电流经上桥覆铜纹路分流后汇入三相母排，三相母排连接下桥覆铜纹路并且三相母排经下桥覆铜纹路分流后汇入负极母排，若干上桥功率半导体芯片的源极和门极连接上桥源极和门极PIN针，若干下桥功率半导体芯片的源极门极连接下桥源极和门极PIN针。本结构实现均流特性,确保功率半导体模块开管一致性，提高功率半导体模块使用寿命及性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 陶瓷 布置 功率 半导体 模块 结构 | ||
【主权项】：
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