[发明专利]基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构

权利要求书

1.一种基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，包括散热器、塑壳、覆铜陶瓷基板、正极母排、负极母排、三相母排、邦定线、若干上桥功率半导体芯片和若干下桥功率半导体芯片，所述覆铜陶瓷基板设于所述散热器表面，所述塑壳设于所述散热器并且包覆所述覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板分别设有上桥源极PIN针、上桥门极PIN针和下桥源极PIN针、下桥门极PIN针，所述覆铜陶瓷基板两侧分别设有连通的上桥覆铜纹路、中部间隔设于两列下桥覆铜纹路，所述若干上桥功率半导体芯片分别间隔设于所述上桥覆铜纹路，所述若干下桥功率半导体芯片分别间隔设于所述下桥覆铜纹路，所述正极母排连接所述上桥覆铜纹路并且正极母排电流经所述覆铜陶瓷基板两侧的上桥覆铜纹路分流后汇入所述三相母排，所述三相母排连接所述覆铜陶瓷基板中部的两列下桥覆铜纹路并且三相母排经两列下桥覆铜纹路分流后汇入所述负极母排，所述若干上桥功率半导体芯片的源极通过所述邦定线依次串联后连接所述上桥源极PIN针，所述若干下桥功率半导体芯片的源极通过所述邦定线依次串联后连接所述下桥源极PIN针，所述若干上桥功率半导体芯片的门极通过所述邦定线连接所述上桥门极PIN针，所述若干下桥功率半导体芯片的门极通过所述邦定线连接所述下桥门极PIN针。

2.根据权利要求1所述的基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板两侧的上桥覆铜纹路在相邻上桥功率半导体芯片之间设有突起浮铜接点，所述若干上桥功率半导体芯片的源极通过所述邦定线连接所述突起浮铜接点实现串联连接。

3.根据权利要求1或2所述的基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，其特征在于：所述若干上桥功率半导体芯片在所述上桥覆铜纹路上相邻芯片的间距至少大于或等于芯片最小边长的一半，并且所述覆铜陶瓷基板表面的覆铜厚度为0.3～0.8mm。

4.根据权利要求3所述的基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，其特征在于：所述上桥源极PIN针与上桥门极PIN针之间的控制信号和所述下桥源极PIN针与下桥门极PIN针之间的控制信号从外部输入，所述上桥源极PIN针和上桥门极PIN针在所述覆铜陶瓷基板上的位置位于距离所述正极母排最远的上桥功率半导体芯片外侧，所述下桥源极PIN针和下桥门极PIN针在所述覆铜陶瓷基板上的位置位于距离所述三相母排最远的下桥功率半导体芯片外侧。

5.根据权利要求3所述的基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，其特征在于：所述若干上桥功率半导体芯片中各芯片中心距所述正极母排与上桥源极PIN针距离之和相等，并且距离所述正极母排最近的上桥功率半导体芯片距离所述上桥源极PIN针最远，距离所述正极母排最远的上桥功率半导体芯片距离所述上桥源极PIN针最近，所述若干下桥功率半导体芯片中各芯片中心距所述三相母排与下桥源极PIN针距离之和相等，并且距离所述三相母排最近的下桥功率半导体芯片距离所述下桥源极PIN针最远，距离所述三相母排最远的下桥功率半导体芯片距离所述下桥源极PIN针最近。

6.根据权利要求1所述的基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，其特征在于：所述若干上桥功率半导体芯片和若干下桥功率半导体芯片分别为并联的至少四个功率半导体芯片。