[发明专利]高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺

摘要

本发明公开了高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺，基板上端设置有缓冲层，缓冲层上端设置有多晶硅层，缓冲层上端设置有第一栅极绝缘层，且第一栅极绝缘层成膜导电层上设置有第一栅极和驱动电路走线，第一栅极上端设置有第一中间绝缘层，第一中间绝缘层上端设置有Oxide有源层，Oxide有源层上端设置有第三栅极绝缘层，第三栅极绝缘层之上成膜导电层并图案化形成第二栅极、桥接区和栅极驱动线路，第二栅极之上成膜第二中间绝缘层，第二中间绝缘层上端设置有第三金属层，第三金属层外部设置有钝化层。在Oxide‑TFT中引入Dual‑Gate结构，可提高器件开态电流以及stress稳定性；IGZO/有效提高Oxide‑TFT电子迁移率；通过采用W/Mo叠层结构，可以使Mo金属电阻降低30%，实现低功耗。