[发明专利]高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺

说明书

本发明公开了高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺，基板上端设置有缓冲层，缓冲层上端设置有多晶硅层，缓冲层上端设置有第一栅极绝缘层，且第一栅极绝缘层成膜导电层上设置有第一栅极和驱动电路走线，第一栅极上端设置有第一中间绝缘层，第一中间绝缘层上端设置有Oxide有源层，Oxide有源层上端设置有第三栅极绝缘层，第三栅极绝缘层之上成膜导电层并图案化形成第二栅极、桥接区和栅极驱动线路，第二栅极之上成膜第二中间绝缘层，第二中间绝缘层上端设置有第三金属层，第三金属层外部设置有钝化层。在Oxide‑TFT中引入Dual‑Gate结构，可提高器件开态电流以及stress稳定性；IGZO/有效提高Oxide‑TFT电子迁移率；通过采用W/Mo叠层结构，可以使Mo金属电阻降低30%，实现低功耗。

技术领域

本发明属于显示背板技术领域，具体涉及高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺。

背景技术

近年来，低温多晶硅氧化物LTPO薄膜晶体管在有源矩阵有机发光二极管显示背板技术中受到了广泛关注，在金属氧化物TFT中，非晶态铟镓锌氧化物a-IGZOTFT是当下最受欢迎的，氧化物薄膜晶体管具有超低的关断漏电流小于10-14A，较高的迁移率超过10cm2/V.s，可实现低频驱动降低功耗，且可以在低温下以较低的制造成本制造；另一方面，LTPSTFT具有高迁移率和优异的稳定性，易于实现超高分辨率显示面板制造，但其关态电流较高，在～10-12A之间，无法实现低频驱动造成面板功耗较高，通过混合这两种TFT技术可以实现两面取利，生产出具备高分辨率且可实现低频驱动的面板，既保证高质量的显示效果又能实现低功耗。

一般来说，LTPS-TFT和金属氧化物TFT背板工艺是不兼容的，LTPS-TFT需要大量的氢原子来钝化poly-Si内部以及poly-Si与栅绝缘体界面处的悬空键和缺陷，然而，过量的氢气会导致氧空位和金属氧键之间的不平衡，从而导致氧化物TFT器件阈值电压Vth偏移；由于施加到金属氧化物开关TFT的负偏压增大，在低显示驱动频率下，这种Vth偏移现象将更加明显；金属氧化物开关TFT需要足够稳健以显示最小阈值电压Vth偏移以减少图像质量下降。

研究发现，双栅驱动的a-IGZO TFT不仅显著提高了器件的稳定性,而且在保持较低关断电流的同时,获得了较高的漏极电流和较强的亚阈值斜率，优于单栅驱动的器件；为了改善LTPO薄膜晶体管中氧化物晶体管的稳定性以及进一步提高氧化物晶体管的电子迁移率，器件开态电流Ion等性能。

为此，我们提出高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：高性能双栅LTPO面板结构，包括基板，所述基板上端设置有缓冲层，缓冲层上端设置有多晶硅层，缓冲层上端设置有第一栅极绝缘层，且第一栅极绝缘层成膜导电层上设置有第一栅极和驱动电路走线，所述第一栅极上端设置有第一中间绝缘层，第一中间绝缘层上端设置有Oxide有源层，所述Oxide有源层上端设置有第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层之上成膜导电层并图案化形成第二栅极、桥接区和栅极驱动线路，所述第二栅极之上成膜第二中间绝缘层，所述第二中间绝缘层上端设置有第三金属层，第三金属层外部设置有钝化层。

优选的，所述缓冲层为无机氧化物或者绝缘性质的化合物，且缓冲层膜厚范围为100um～500nm，所述多晶硅层膜厚范围为20～200um，所述第一栅极绝缘层为无机氧化物或者绝缘性质的化合物，膜厚范围为100um～400um。