[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202111171638.8 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113851584A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供了提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。其中，该半导体结构的制备方法包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有沟槽；通入第一锗源气体或第一锗源气体与第一硅源气体的混合气体，在沟槽表面形成填充层；通入硼源气体、第二锗源气体和第二硅源气体，形成掺杂多晶硅，并沉积于形成有填充层的沟槽中，以形成导体填充结构。本公开实施例的半导体结构的制备方法使沟槽表面能够形成均匀的锗种子层或者锗硅种子层，使后续填充更加完全，避免产生空隙，提高半导体结构的稳定性以及电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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