[发明专利]半导体功率器件在审
| 申请号： | 202111170049.8 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115966590A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;刘伟;袁愿林;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 李礼 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极结构，所述栅极结构包括栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅介质层和栅极，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；介于所述两个栅极结构之间的导电层，所述导电层与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。本发明能够提高半导体功率器件的反向恢复速度，并降低半导体功率器件反偏时的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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