[发明专利]半导体功率器件在审
| 申请号： | 202111170049.8 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115966590A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;刘伟;袁愿林;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 李礼 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
1.半导体功率器件，其特征在于，包括：
n型漏区；
位于所述n型漏区之上的n型漂移区；
若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；
所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；
介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极结构，所述栅极结构包括栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅介质层和栅极；
介于所述两个栅极结构之间的导电层，所述导电层与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。
2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括第二p型体区，所述第二p型体区设于所述两个栅极结构之间且位于所述n型漂移区上方，所述导电层贯穿所述第二p型体区与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。
3.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第二p型体区内设有第二n型源区。
4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，至少有一个所述p型柱浮空设置。
5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，至少有一个所述栅极外接源极电压，且至少有一个所述栅极外接栅极电压。
6.如权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，外接源极电压的所述栅极所在的栅极结构中的栅介质层的厚度小于外接栅极电压的所述栅极所在的栅极结构中的栅介质层的厚度。
7.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述导电层外接源极电压。
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