[发明专利]氮化镓双向开关器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111160681.4 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113903798B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何俊蕾;林志东;林育赐;刘成;徐宁;房育涛;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘秋月 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种氮化镓双向开关器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和间隔设于有源区内势垒层上的第一电极和第二电极；还包括在第一电极和第二电极之间且间隔的两栅极、位于势垒层上且将第一电极、第二电极、两栅极隔离的第一级场板介质层；第一级场板介质层在有源区之外且自远离衬底的一面设有第一凹槽，第一凹槽自第一级场板介质层延伸至衬底内，氮化镓双向开关器件还包括通过第一互连金属连接的两第一级场板金属，部分第一互连金属填充于第一凹槽内，且第一凹槽内的第一互连金属与第一凹槽的侧壁之间设有第一绝缘层。该器件能够降低器件的体积，提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 双向 开关 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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