[发明专利]石墨基板、以及石墨基板和发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 202111159047.9 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114108080A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;丁涛;郭炳磊;肖云飞;陆香花;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/16;C30B29/02;C30B29/06;C30B29/08;C30B29/40;C30B23/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种石墨基板、以及石墨基板和发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述石墨基板包括石墨盘和多个环状隔离层，所述石墨盘为圆盘，所述石墨盘的表面具有用于容纳外延片的多个凹槽，每个所述凹槽内均具有用于支撑所述外延片的所述环状隔离层，所述环状隔离层为二维原子晶体材料层。采用该石墨基板生长发光二极管外延片，可以降低受热不均的情况，提高外延片的波长均匀性，并有效减小外延片裂纹的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 以及 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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