[发明专利]一种半导体钝化结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111155172.2 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114038761A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L43/04;H01L43/14;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体钝化结构的制备方法，包括：S1：形成第一钝化层包裹功能层与第一金属层；S2：对第一钝化层进行去除；S3：在第一钝化层上制备形成第一光刻胶层；S4：在第一金属层上形成第二金属层，并在第二金属层上形成第二缺口，第二缺口位于第一钝化层上方部分区域；S5：形成第二钝化层；S6：部分去除覆盖于第二金属层的上表面的第二钝化层；S7：在第二钝化层上制备形成保护层。本发明有益效果在于：通过设置多层薄膜组成的钝化层，钝化层与金属层边缘相互交叠、降低钝化层残余应力，同时具有极好的致密性、抗湿热性、抗杂质离子进入、高击穿电压、强附着力，使得钝化层对化合物半导体表面态抑制效果更强，器件性能参数表现与稳定性更优。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 钝化 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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