[发明专利]IGBT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111148401.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113903801B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;张同博;姚一平;杨继业;邢军军;陈冲;黄璇;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种IGBT器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件包括超结结构，超结结构由若干个N型柱和P型柱交替排列构成，超结结构位于N型衬底中；IGBT器件的元胞单元，元胞单元位于N型外延层中，N型外延层位于N型衬底的上方；每个元胞单元包括沟槽栅、P型体区、位于P型体区顶部的源区；N型载流子注入层，N型载流子注入层位于N型外延层中，N型载流子注入层与N型衬底之间间隔有N型外延层；P型体区的底部位于N型载流子注入层中；集电区，集电区位于N型衬底的底部；通过增加N型载流子注入层，增加了空穴浓度，降低了IGBT器件的导通压降，提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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