[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202111141899.5 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871453A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李明洋;李连忠;叶涵;张文豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件从侧面接触沟道区以形成侧向半导体‑金属质结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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