[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202111141899.5 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871453A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李明洋;李连忠;叶涵;张文豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
沟道区，包含二维半导体材料；
第一二维金属质接触件，设置在所述沟道区的一侧处且包含二维金属质材料；
第二二维金属质接触件，设置在所述沟道区的相对的侧处且包含所述二维金属质材料；
栅极结构，设置在所述第一二维金属质接触件与所述第二二维金属质接触件的中间的所述沟道区上；
第一金属接触件，相对于所述沟道区设置在所述第一二维金属质接触件的相对的侧处；以及
第二金属接触件，相对于所述沟道区设置在所述第二二维金属质接触件的相对的侧处，
其中所述第一二维金属质接触件及所述第二二维金属质接触件从侧面接触所述沟道区以形成侧向半导体-金属质结。
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