[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件从侧面接触沟道区以形成侧向半导体‑金属质结。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已经历快速增长。IC材料及设计的技术进步已产生几代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即每芯片面积的内连器件的数目)通常增加，同时几何大小(即可使用制作工艺形成的最小组件或线)已减小。此种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率及降低相关联成本来提供益处。

发明内容

本公开实施例的一种半导体器件，包括：沟道区、第一二维金属质接触件、第二二维金属质接触件、栅极结构、第一金属接触件以及第二金属接触件。所述沟道区包含二维半导体材料。所述第一二维金属质接触件，设置在所述沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。所述第二二维金属质接触件，设置在所述沟道区的相对的侧处且包含所述二维金属质材料。所述栅极结构，设置在所述第一二维金属质接触件与所述第二二维金属质接触件的中间的所述沟道区上。所述第一金属接触件，相对于所述沟道区设置在所述第一二维金属质接触件的相对的侧处。所述第二金属接触件，相对于所述沟道区设置在所述第二二维金属质接触件的相对的侧处。所述第一二维金属质接触件及所述第二二维金属质接触件从侧面接触所述沟道区以形成侧向半导体-金属质结。

本公开实施例的一种半导体器件，包括：衬底、二维半导体材料的条带、二维金属质材料的层、金属块以及栅极结构。所述二维半导体材料的条带，设置在所述衬底上。所述二维金属质材料的层，以位于所述条带的相对侧处的堆叠形式设置在所述衬底之上。所述金属块，在所述二维金属质材料的所述层的所述堆叠的外侧壁上延伸。所述栅极结构，在所述二维金属质材料的所述层的所述堆叠的中间设置在所述二维半导体材料的所述条带上。所述二维半导体材料的所述条带沿着第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向在所述衬底上延伸，且位于所述二维金属质材料的所述层与所述二维半导体材料的所述条带之间的半导体-金属质结沿着选自所述第一方向及所述第二方向中的至少一个方向以及沿着与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向延伸。

本公开实施例的一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成二维半导体材料的片材；在所述二维半导体材料的相对侧处形成二维金属质材料的堆叠层，其中所述二维金属质材料的所述堆叠层的厚度大于所述二维半导体材料的所述片材的厚度，且半导体-金属质结平行于所述二维金属质材料的所述堆叠层的内侧壁延伸；将所述二维半导体材料的所述片材图案化，以形成所述二维半导体材料的条带；在所述衬底之上设置金属材料，其中所述金属材料在所述二维金属质材料的所述堆叠层的外侧壁上延伸，且所述外侧壁与所述内侧壁相对；以及在所述二维半导体材料的所述条带上形成栅极结构，其中所述栅极结构接触所述二维金属质材料的所述堆叠层的所述内侧壁。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1K是在根据本公开一些实施例的半导体器件的制造工艺期间形成的结构的示意性透视图。

图2A到图2K是根据本公开一些实施例的分别在图1A到图1K中示出的结构的示意性剖视图。

图3是根据本公开一些实施例的半导体器件的组件的示意性表示。