[发明专利]一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法在审
| 申请号: | 202111135965.8 | 申请日: | 2021-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN113862646A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
| 发明(设计)人: | 张文军 | 申请(专利权)人: | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/54;C23C16/44 |
| 代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
| 地址: | 311201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法,涉及常压化学沉积技术领域,包括反应管、第一气罐、第二气罐以及第三气罐,滑块滑动同时为调节叶片提供摆动的动力,使通过的气流不断改变通过的路径,从而达到气流均匀分散的目的,因此,在气流与反应物反应后产生的过程产物颗粒能够均匀分散,调节组件使用时,流动的气流能够带动风扇转动,无需外置动力驱动即可为调节叶片提供摆动的动力,从而节省了能源的消耗,调节叶片能够通过第二转动轴转动一定角度,因此,相邻调节叶片之间能够形成一定大小的缝隙,通过调节缝隙的大小进而能够控制通过的反应气流量,从而适用于不同反应气体流量的APCVD系统。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 apcvd 沉积 过程 颗粒 控制系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





