[发明专利]一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法

说明书

本发明公开了一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法，涉及常压化学沉积技术领域，包括反应管、第一气罐、第二气罐以及第三气罐，滑块滑动同时为调节叶片提供摆动的动力，使通过的气流不断改变通过的路径，从而达到气流均匀分散的目的，因此，在气流与反应物反应后产生的过程产物颗粒能够均匀分散，调节组件使用时，流动的气流能够带动风扇转动，无需外置动力驱动即可为调节叶片提供摆动的动力，从而节省了能源的消耗，调节叶片能够通过第二转动轴转动一定角度，因此，相邻调节叶片之间能够形成一定大小的缝隙，通过调节缝隙的大小进而能够控制通过的反应气流量，从而适用于不同反应气体流量的APCVD系统。

技术领域

本发明涉及常压化学沉积技术领域，具体为一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法。

背景技术

APCVD即常压化学气相淀积，是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，但是均匀性较差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相淀积来制备，APCVD技术是指在大气压下，把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，然后通过气相化学反应在基体表面上沉积一层固态薄膜的方法。

但是工艺气体经过管路到达反应室的喷头处，从喷头出来的气体到达基材表面时由于气体喷头的出口形状固定，气体从喷头喷出时的路径形状为一条直线，无法使工艺气体均匀分散开，从而无法实现工艺气体与反应室内部的反应物充分接触反应，以至于形成的薄膜质量无法达到生产要求，此外传统喷头的喷出工艺气体量不易控制，而反应室内部的不同基材所需的工艺气体量不同，若无法控制喷头出气量，则薄膜的生产速度与质量无法得到保障。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法，解决了传统常压化学气相沉积过程中，工艺气体喷头无法使气体均匀喷出，以至于工艺气体无法与反应物充分接触反应以及喷头不易控制工艺气体喷出量，薄膜质量无法得到保证的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，包括反应管、第一气罐、第二气罐以及第三气罐，所述反应管的一侧设置有第一气罐、第二气罐与第三气罐，所述第一气罐、第二气罐与第三气罐从下到上依次叠加放置，所述反应管与第一气罐、第二气罐与第三气罐均分别通过输气管相连接，所述输气管的一端贯穿反应管并延伸至内部，且输气管的一端固定连接有调控机构，所述反应管的另一侧通过管道连接有废气吸收罐，所述废气吸收罐的一侧壁上方固定设置有防护罩，所述防护罩的内部转动设置有排气扇，所述反应管的一侧外壁分别开设有两个滑槽，滑槽的内部分别滑动设置有置物组件与支撑组件，所述置物组件与支撑组件的一端均贯穿反应管并延伸至内部，所述反应管的内壁开设有腔体，腔体的内部设置有加热丝。

所述调控机构包括喷气头与气体分布组件，所述喷气头的左侧壁开设有螺纹孔，所述气体分布组件的一端固定设置有第一法兰盘，所述喷气头与气体分布组件通过第一法兰盘与螺纹孔固定连接，所述喷气头的内部设置有气量调控组件，所述喷气头的正面通过转轴转动连接有若干传动齿轮，全部所述传动齿轮的外壁共同啮合有传动链条，所述传动链条的最顶部内壁啮合有驱动齿轮，驱动齿轮的一侧壁固定连接有伺服电机。

所述气体分布组件包括气体分布管，所述气体分布管为中空结构，且气体分布管的两端开设有通气口，所述气体分布管的内部设置有调节组件，且气体分布管的内壁固定设置有承载支架。

所述调节组件包括导风板，所述导风板的前后两侧壁均固定连接有第一转动轴，所述导风板的左侧壁开设有第一滑槽，所述第一滑槽的内部滑动设置有滑块，所述滑块的一侧壁转动连接有连杆，所述连杆的一端固定焊接有连接块，所述连接块的左侧壁固定焊接有驱动轴，所述驱动轴的一端固定连接有风扇，且驱动轴的外壁转动套设有轴套。