[发明专利]一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其控制方法

权利要求书

1.一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，包括反应管(1)、第一气罐(2)、第二气罐(3)以及第三气罐(4)，所述反应管(1)的一侧设置有第一气罐(2)、第二气罐(3)与第三气罐(4)，所述第一气罐(2)、第二气罐(3)与第三气罐(4)从下到上依次叠加放置，其特征在于：所述反应管(1)与第一气罐(2)、第二气罐(3)与第三气罐(4)均分别通过输气管(5)相连接，所述输气管(5)的一端贯穿反应管(1)并延伸至内部，且输气管(5)的一端固定连接有调控机构(6)，所述反应管(1)的另一侧通过管道连接有废气吸收罐(8)，所述废气吸收罐(8)的一侧壁上方固定设置有防护罩(9)，所述防护罩(9)的内部转动设置有排气扇(10)，所述反应管(1)的一侧外壁分别开设有两个滑槽，滑槽的内部分别滑动设置有置物组件(11)与支撑组件(12)，所述置物组件(11)与支撑组件(12)的一端均贯穿反应管(1)并延伸至内部，所述反应管(1)的内壁开设有腔体，腔体的内部设置有加热丝(13)；

所述调控机构(6)包括喷气头(601)与气体分布组件(602)，所述喷气头(601)的左侧壁开设有螺纹孔，所述气体分布组件(602)的一端固定设置有第一法兰盘(605)，所述喷气头(601)与气体分布组件(602)通过第一法兰盘(605)与螺纹孔固定连接，所述喷气头(601)的内部设置有气量调控组件(604)，所述喷气头(601)的正面通过转轴转动连接有若干传动齿轮(607)，全部所述传动齿轮(607)的外壁共同啮合有传动链条(608)，所述传动链条(608)的最顶部内壁啮合有驱动齿轮，驱动齿轮的一侧壁固定连接有伺服电机(609)；

所述气体分布组件(602)包括气体分布管(6021)，所述气体分布管(6021)为中空结构，且气体分布管(6021)的两端开设有通气口，所述气体分布管(6021)的内部设置有调节组件(6022)，且气体分布管(6021)的内壁固定设置有承载支架(6023)；

所述调节组件(6022)包括导风板(60221)，所述导风板(60221)的前后两侧壁均固定连接有第一转动轴(60222)，所述导风板(60221)的左侧壁开设有第一滑槽(60223)，所述第一滑槽(60223)的内部滑动设置有滑块(60224)，所述滑块(60224)的一侧壁转动连接有连杆(60225)，所述连杆(60225)的一端固定焊接有连接块(60226)，所述连接块(60226)的左侧壁固定焊接有驱动轴(60227)，所述驱动轴(60227)的一端固定连接有风扇(60228)，且驱动轴(60227)的外壁转动套设有轴套(60229)；

所述气量调控组件(604)包括第一固定板(6041)与第二固定板(6042)，所述第一固定板(6041)与第二固定板(6042)之间通过第二转动轴(6044)转动连接有若干调节叶片(6043)，所述第二转动轴(6044)的一端分别贯穿第一固定板(6041)与第二固定板(6042)。

2.根据权利要求1所述的一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，其特征在于：每个所述输气管(5)的外壁一侧均设置有控制阀(7)，所述控制阀(7)位于输气管(5)与反应管(1)之间。

3.根据权利要求1所述的一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，其特征在于：所述防护罩(9)的一端与废气吸收罐(8)的内部相连通，且废气吸收罐(8)的另一端开设有通气口，通气口内部设置有防尘网，所述防护罩(9)的内部设置有排气扇(10)，所述排气扇(10)由电动马达驱动。

4.根据权利要求1所述的一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，其特征在于：所述喷气头(601)右侧壁侧壁固定连接有进气导管(603)，所述进气导管(603)的一端固定连接有第二法兰盘(606)，所述伺服电机(609)固定连接在喷气头(601)的顶部，所述喷气头(601)的左右两侧壁均开设有气门(610)，所述气体分布组件(602)与进气导管(603)均与气门(610)内部相连通。

5.根据权利要求1所述的一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统，其特征在于：所述第二转动轴(6044)的一端均贯穿喷气头(601)的外壁并与传动齿轮(607)背面转轴固定连接，所述第二转动轴(6044)与喷气头(601)相接触部分通过轴承连接。