[发明专利]一种制备高平坦度外延片的方法和装置在审
| 申请号： | 202111134808.5 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113862784A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 钱炯恺 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B23/02;H01L21/677 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高平坦度外延片的方法和装置，包括气态硅喷雾机构和外延底盘，所述外延底盘的顶部设置有衬底硅片，本发明涉及半导体生产技术领域。该制备高平坦度外延片的方法和装置，通过设置驱动机构驱动外延底盘间接带动其上的衬底硅片低速转动，可使气态的单晶硅更均匀的附着到衬底硅片表面，形成厚度均平整的外延片，且由于在转动过程中成型，不受装置本身倾斜度的影响，外延片品质高，同时从外侧向中间喷气态单晶硅的方式，也可一定程度上抵消微小的离心力，有利于提高外延片平坦度，同时设置回流管，可将吹进防溢罩内的多余的气态硅回流到雾化箱内，进而避免溢散到外界造成材料的浪费，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 平坦 度外 方法 装置 | ||
【主权项】：
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