[发明专利]一种垂直氮化镓场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111134381.9 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113921609A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;刘潇;杨嘉颖;黎晓华;黄双武 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明实施例公开了垂直氮化镓场效应晶体管，包括：第一硅掺的N+型GaN外延层沉积于N+型高掺杂GaN衬底第一面中的部分区域、第二硅掺的N‑型GaN外延层沉积于第一硅掺的N+型GaN外延层、第三硅掺的N+型GaN外延层第二硅掺的N‑型GaN外延层，Al |
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| 搜索关键词： | 一种 垂直 氮化 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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