[发明专利]一种双钙钛矿单晶及其制备方法和应用、双钙钛矿单晶光电探测器

摘要

本发明提供了一种双钙钛矿单晶及其制备方法和应用、双钙钛矿单晶光电探测器，涉及单晶材料技术领域。本发明提供的Cs2AgErxBi1‑xCl6(x为0～0.9)双钙钛矿单晶的粒度≥1mm。与纳米级单晶相比，本发明提供的双钙钛矿单晶具有更低的缺陷，更高的载流子寿命和迁移率，光致发光性能和环境稳定性优异，应用于光电器件中能够提高光电器件的整体性能；还有利于探究材料的光电特性。进一步的，掺铒双钙钛矿单晶显著提高光电探测的光响应率和探测率。而且，传统的双钙钛矿纳米单晶需制成薄膜再应用于光电器件中，而本发明提供的双钙钛矿单晶可直接应用于光电器件中，无需先制备成膜，应用简单，成本低。